Chaque 2MBI450VH-120-80 module de thyristor de diode est le fruit d'un processus de fabrication ultra-strict. Conçu pour les applications où l'erreur n'est pas permise, ce composant affiche une tolérance minimale aux fluctuations de courant.
Le boîtier externe utilise des polymères haute densité thermo-résistants, protégeant les circuits internes contre la poussière conductrice et l'humidité des usines de transformation. Les connexions internes en fil d'or garantissent une conductivité sans perte du signal de gâchette.
| Paramètre d'usine | Spécification nominale |
|---|---|
| Référence constructeur | 2MBI450VH-120-80 |
| Configuration interne | Double module diode-thyristor |
| Température de jonction | De -40 degrés à +150 degrés |
| Tension d'isolation | 2500V AC pendant 1 minute |
Le choix de cette pièce assure une mise à niveau qualitative instantanée de vos infrastructures de distribution d'énergie.
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